2020年8月15日，2020中国电子学会科学技术奖励大会在北京举行。大会上，中国电子学会副理事长、国家自然科学基金委员会党组成员、副主任、中国科学院院士陆建华发布了“2020电子信息领域优秀科技论文”，由电子学系纳米器件物理与化学教育部重点实验室在读博士研究生谢雨农担任第一作者、彭练矛和张志勇教授担任通讯作者的论文《采用三维架构加速碳纳米管集成电路》（Speeding up carbon nanotube integrated circuits through three-dimensional architecture）榜上有名。
集成电路的发展主要依赖于互补场效应晶体管（CMOS）的尺寸缩减，然而制造成本和功耗随之急剧增加。三维异构集成电路是一种极有潜力的解决方式，也是目前集成电路研究的热门领域。而碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）是构筑未来集成电路的重要候选技术，且由于其可低温加工，具有低功耗的优势，能有效克服传统三维集成技术热预算不足的瓶颈，因此是构建三维集成电路的理想技术。然而，已发表的基于碳管的三维电路通常比单层碳管电路性能低，并未展示三维集成的优势。在本项工作中，我们发展并优化了碳基三维集成的工艺，制备了两层碳纳米管晶体管，器件均可保持平面工艺晶体管的高性能，两层器件之间的阈值完全匹配；在此基础上，通过通孔工艺互联两层器件，首次实现了三维碳基环形振荡器电路。此外，通过对比实验，探索了三维集成电路架构的优势，结果表明，采用三维架构的电路速度可提升38％。文中特别展示了振荡频率高达680 MHz的三维五阶环振电路，单级门延时为0.15 ns，该结果代表了目前世界上三维集成电路的最高工作速度。文章于2019年8月发表于《纳米研究》（Nano Research, 2019, 12(8): 1810-1816）。
为引导更多高水平电子信息领域科研成果在国内科技期刊或学术会议发表，中国电子学会组织开展了“2020电子信息领域优秀科技论文遴选活动”。经相关高校、科研机构、期刊编辑部以及专家的推荐，共收到近百篇推荐论文。经评审专家组分组函评和会评，最终确定八篇论文入选。
活动公告：http://etst.cie-info.org.cn/index_detail.aspx?id=81
论文链接：https://link.springer.com/article/10.1007/s12274-019-2436-2
