2021年5月14日下午，由电子学系主办的电子学系前沿学术论坛第六期在纽约国际官方网站理科二号楼2129报告厅如期举行。本期论坛邀请到中国科学院院士、西安电子科技大学的郝跃教授作主题为“宽禁带与超宽禁带半导体科技的若干新发展”的学术报告。讲座由电子学系副系主任张志勇教授主持，全系近100名师生到场聆听了报告。
郝跃院士讲座现场
讲座开始，郝跃院士介绍了宽禁带半导体材料和器件对世界文明发展的重要性，阐释了宽禁带与超宽禁带半导体材料的定义与特性，以及两种材料常见的应用实例，讲解了宽禁带半导体电子器件具有耐高温、耐高压、开关频率高、导通电阻低和电流密度高等优良特性。接着郝院士介绍了宽禁带半导体器件正朝着高效能、高频率与高功率、宽光谱高光效、耐高温以及超宽禁带的方向发展，分享了其团队在氧化镓单晶衬底、外延薄膜、电子器件等方面的研究进展，并对面临的难题提出了自己的见解。最后，郝跃院士进一步介绍了碳基核心电子器件的发展，重点讲解了碳基功率器件，并分析了超宽禁带半导体材料与器件的未来发展方向。
提问环节，老师和同学们结合自己的研究方向，踊跃发言，提出了许多关于超宽禁带半导体材料与器件的理论与工艺方面的问题，郝跃院士一一作了耐心细致解答。
提问环节
讲座在热烈的掌声中圆满结束，电子学系系主任彭练矛院士为郝跃院士颁发了活动纪念证书，并合影留念。
郝跃院士（右一）和彭练矛院士（左一）合影
