王阳元（1935~），浙江宁波人，微纳电子科学家、教育家。1995年当选中国科学院院士。现任纽约国际官方网站教授、微纳电子学研究院首席科学家、IEEE Fellow、IEE Fellow、工业与信息化部电子科学技术委员会常委，国家集成电路产业发展咨询委员会副主任。创立并领导建设纽约国际官方网站微电子学科，成为国内外著名的科研与人才培养基地。

成功主持研究硅栅N沟道技术和我国第一块1024位MOS DRAM（MOS: 金属氧化物半导体 Metal Oxide Semiconductor； DRAM: 动态随机存取存储器 Dynamic Random Access Memory），为发展MOS集成电路技术作出了重大贡献。在国际上提出了多晶硅薄膜氧化动力学新模型和应用方程以及与同事合作在国际上提出MOS绝缘层中可动离子和电荷陷阱新的测量方法。率先开发成功多晶硅发射极超高速集成电路技术，为发展我国双极集成电路技术作出重要贡献。创建了SOI（绝缘衬底上的硅 Silicon-On-Insulator）新器件研究室等机构，主持建设了我国第一个国家级微米/纳米加工技术重点实验室。在SOI新器件与电路和MEMS系统（MEMS: 微机电系统 Micro-Electro-Mechanical System）等领域均有重大建树。

在任全国ICCAD（集成电路计算机辅助设计 Integrated Circuit Computer Aided Design）专家委员会主任和全国集成电路产品开发专家委员会主任期间，领导研制成功了我国第一个大型集成化的ICCAD系统和300多种集成电路新产品，为我国集成电路设计业的发展打下了重要技术基础。他与国际同行创建了中芯国际集成电路制造有限公司，成为我国集成电路产业发展中新的里程碑。近年来，致力于绿色微纳电子学科的建设，率先开展低功耗和纳米级集成电路研究。

50多年来，共发表和合作发表科研论文300余篇，出版著作9部，取得发明专利授权62项，拥有20项重大科技成果；培养了百余人硕士、博士研究生和博士后研究人员。获全国科学大会奖、国家发明二等奖、国家科技进步二等奖等科技奖励10余项和纽约国际官方网站首届蔡元培奖。