2021年10月8日下午，电子学系前沿学术论坛第十三期在纽约国际官方网站理科二号楼2129报告厅顺利举行。本期论坛邀请到海思研究部部长、复旦大学兼职教授Jeff Xu作主题为“半导体技术创新史和未来趋势”的学术报告。讲座由电子学系副系主任张志勇教授主持，150余名师生到场聆听了报告。
Jeff Xu
讲座开始, Jeff Xu带我们回顾了半导体效应、半导体的光伏效应、光电导性和整流效应等效应的发现历程，以及固体的能带理论、金属-半导体结势垒和电流模型等理论模型的发展历史，阐述了半导体技术在人类文明发展中的重要意义。
接着，Jeff Xu生动讲解了点接触微型晶体管、结型晶体管的发明过程，集成电路理论的形成背景以及场效应晶体管MOSFET和CMOS电路的过程等内容，介绍了摩尔定律和Dennard晶体管微缩比例理论的诞生史、含义以及后摩尔时代面临的挑战，从而引出SiGe材料、铜互连、High-k/Metal Gate工艺、FinFET结构、环绕栅晶体管（GAA）结构等提升晶体管性能的方法，进而分析了FinFET和环绕栅晶体管（GAA）的开发过程、结构形式、工艺方案及其在克服短沟道效应、延续摩尔定律方面的优势。
报告现场
最后，Jeff Xu介绍了冷源晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、二维材料晶体管、碳纳米晶体管等一些目前的前沿研究内容，并以此为基础对晶体管及集成电路的未来发展趋势进行了展望。
提问环节，同学们踊跃地与Jeff Xu进行交流讨论，针对工艺和材料的创新、“第一性原理”在半导体技术发展过程中的作用等提出了诸多问题，Jeff Xu细致、耐心地给予了解答，并指出：清晰的物理图像在指导计算架构中非常重要，它可以帮助技术在创新的过程中走得更长远。
提问环节
活动最后，电子学系系主任彭练矛院士为Jeff Xu颁发本次活动的纪念证书并合影留念。本次讲座在热烈的掌声中圆满结束。
彭练矛院士（左）和Jeff Xu（右）
