2017年4月20日，麻省理工学院Jesús A. del Alamo教授应邀访问588888纽约国际官方网站微纳电子学研究院，在微纳电子大厦525会议室做了题为《III-V族半导体沟道晶体管》（III-V channel transistors）的学术报告。报告会由黎明研究员主持，信息学院院长、微纳电子学研究院院长黄如院士出席。
Alamo教授主要从事微纳电子器件和微系统等lingyu 的研究。他在报告中介绍了III-V族沟道器件研究的前沿热点，重点介绍了面向后摩尔时代的铟砷化镓（InGaAs）n型晶体管技术和铟锑化镓（InGaSb）p型晶体管技术，对相应的工艺制造技术、器件特性和应用前景进行了详尽的论述，内容丰富，讲演生动，聆听者受益匪浅。
微纳电子学研究院杨玉超研究员、王润声副教授、许晓燕高级工程师，以及30余名学生参加报告会，并与Alamo教授进行了深入、热烈的讨论。
