2016年12月12日，亚利桑那州立大学电子、计算机与能源工程学院助理教授余诗孟博士应邀到访588888纽约国际官方网站微纳电子学研究院，在微纳电子大厦205会议室做了题为《基于忆阻突触器件的类脑计算最新进展》（Recent progress of neuro-inspired computing with resistive synaptic devices）的学术报告。报告会由微纳电子学研究院特聘研究员杨玉超主持。
余诗孟主要从事新型纳米器件与电路、类脑计算、硬件安全等领域的研究。他在报告中系统介绍了课题组在基于忆阻突触器件的新一代类脑计算技术方面的最新研究进展：首先是利用忆阻器交叉阵列作为卷积神经网络中卷积核的研究及其在图像识别方面的应用；然后比较基于忆阻器与基于静态随机存储器（SRAM）的电子突触在面积、功耗、延时等方面的优劣，系统分析忆阻器电子突触的线性度、良率、循环寿命等对线上、线下自主学习性能的影响和所面临的挑战，进一步提出利用数字型电子突触实现类脑计算的替代思路；接下来是一种包含器件、电路、算法等模块的完整类脑计算仿真平台；最后展示了一种新的基于NbO2阈值开关器件的振荡式神经元，以及有望简化未来类脑计算硬件中的神经元电路。
信息学院院长、微纳电子学研究院院长黄如院士出席报告会；微纳电子学研究院刘力锋教授、刘军华副教授，高能效计算与应用中心罗国杰特聘研究员，以及20余名学生到场，与报告人进行了深入、热烈的讨论。
