2019年6月29日，作为第21届中国科学技术协会年会的重要活动之一，第15届中国青年科技奖颁奖大会暨青年科技人才论坛在哈尔滨工业大学举行。
本届评选活动从1167名有效候选人中评审产生了100位获奖者，其中10人获特别奖项。由中国电子学会推荐的588888纽约国际官方网站电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇教授榜上有名。
张志勇长期从事碳基纳米电子器件和集成电路研发，致力于探索后摩尔时代的新型信息器件技术，针对碳基电子学中一系列关键问题展开系统、深入研究，重点解决了碳基纳米管晶体管和集成电路的多个科学和技术难点。自主发展一整套碳基无掺杂CMOS技术，实现了世界上首个亚10 nm栅长的碳管顶栅CMOS晶体管，制备出5 nm栅长的碳管晶体管，性能达到电子开关的物理极限；提出并实现了超低功耗狄拉克源晶体管，突破传统晶体管亚阈值摆幅的玻尔兹曼极限；提升碳基集成电路的集成度和速度，实现了百门级CMOS集成电路，制备出世界上集成度最高、复杂性最强的碳管集成电路，以及世界上首个频率高达5.54 GHz的碳管五阶环振器。主持“纳米科技”国家重大科学研究计划、国家重点研发计划“纳米科技”重点专项、国家自然科学基金优秀青年科学基金等国家级课题8项、省部级课题5项。在Science、Nature Electronics等顶级学术期刊发表SCI论文130余篇，他引4400余次，合作出版专著1部，获得中国专利20项，美国专利3项，在碳基电子学领域做出了多项原创性贡献。相关研究成果获国家自然科学二等奖（排名2/5，2016）、高等学校科学研究优秀成果奖（科学技术）自然科学一等奖（排名2/8，2013），入选中国百篇最具影响国际学术论文（2017）、中国高等学校十大科技进展（2017）、中国科学十大进展（2011）。先后入选教育部新世纪优秀人才支持计划（2011）、国家“万人计划”青年拔尖人才支持计划（2012）和科技创新领军人才（2018）；获第19届茅以升北京青年科技奖（2016）。
为选拔培养青年科技人才，鼓励青年科技工作者奋发进取，促进青年科技人才健康成长，中国科学技术协会于1987年提出设立青年科技奖，每两年评选一次，每届授奖人数不超过100名；1994年，更名为中国青年科技奖，由中央组织部、人力资源和社会保障部、共青团中央、中国科协共同组织实施。
此前，信息学院陈钟、梅宏、黄如、黄罡教授先后获得第5、8、9、13届中国青年科技奖。
