2017年1月13日，韩国首尔国立大学材料科学与工程系黄哲成（Cheol Seong Hwang）教授应邀访问588888纽约国际官方网站微纳电子学研究院，在微纳电子大厦205会议室做了题为《忆阻器在低能耗和认知计算中的应用》（Memristors for energy-saving and cognitive computing）的学术报告。报告会由特聘研究员杨玉超主持，纽约国际官方网站信息学院院长、微纳电子学研究院院长黄如院士出席。
黄哲成主要从事高k栅氧化物，动态随机存取存储器（DRAM）、阻变随机存取存储器/相变随机存取存储器（RRAM/PRAM）等新型存储器，铁电材料与器件，薄膜晶体管等方面的研究。他在报告中首先指出数据爆炸时代所面临的高能耗问题，并总结了两种潜在的解决方案：其一是基于忆阻器的非挥发性逻辑运算，将存储单元和计算单元合二为一，形成计算与存储相融合的体系架构，从而节省二者之间数据传输所消耗的能量；其二是基于忆阻器的类脑计算，即借鉴人脑神经网络的体系结构和运算方式实现高能效计算。他还指出，类脑计算目前主要仍是基于算法层面模拟一些特定的功能，硬件上依旧是采用传统的计算架构，导致能耗水平较高，因此未来在硬件上直接模拟神经网络功能对于实现低能耗计算尤为重要，而其中忆阻器将是发展新一代类脑计算机的重要元器件。
天津理工大学电子信息工程学院副院长赵金石教授陪同访问。微纳电子学研究院副院长蔡一茂研究员，康晋锋教授、刘晓彦教授、黎明“百人计划”特聘研究员以及20余名学生聆听了报告，并与报告人进行了深入、热烈的讨论。
